/ Установка газофазной эпитаксии SAVTECH SOURCE VPE

Установка газофазной эпитаксии SAVTECH SOURCE VPE

Установка газофазной эпитаксии кремния при пониженном давлении предназначена для эпитаксиального наращивания слоёв кремния из газовой фазы в том числе с легирующими добавками.

Установка состоит из следующих основных систем и узлов:

  • Реакторный блок (РБ);
  • Система вакуумной откачки;
  • Газовая система;
  • Шкаф управления;
  • Шкаф пневматики;
  • Система охлаждения.

В передней части РБ расположен герметичный перчаточный бокс со шлюзом для загрузки и выгрузки пластин. Шлюз и основной объем перчаточного бокса подключены к линии продувочного азота. При продувке газ отводится к скрубберу. Так же в объеме перчаточного бокса предусмотрен режим рециркуляции газа.

Кварцевый водоохлаждаемый реактор вертикального типа расположен в верхней части установки. Вакуумноплотный, неподвижный.  Пьедестал для размещения пластин — полая пирамида из ОСЧ графита, карбидизированная. Основание реактора выполнено подвижным для осуществления загрузки/выгрузки. Управление вращением доступно как в автоматическом режиме по программе, так и вручную по нажатию кнопки внутри реакторного отсека для удобства загрузки пирамиды пластинами.

 

Оставить заявку

Система вакуумной откачки выполнена на базе пластинчато-роторного насоса. Выхлоп насоса выведен в линию скруббера.

Газовая система установки предназначена для подачи рабочих газов в реактор и продувки газовых линий. Газовые линии выполнены из электрохимполированных стальных нержавеющих труб.

Система охлаждения узлов и агрегатов Установки – жидкостная, замкнутая.

Система управления построена по трёхуровневому принципу построения АСУ ТП. На нижнем уровне задействованы датчики вакуума, температуры, протока, положения и т. д. Средний уровень выполнен на базе промышленного логического контроллера и модулей расширения. К верхнему уровню относятся: управляющий компьютер, расположенный в шкафу управления, сенсорный монитор, клавиатура с сенсорной панелью ввода.

Система управления обеспечивает управление устройствами Установки с экрана сенсорного дисплея в автоматическом, или в полуавтоматическом режиме (по команде оператора). Предусмотрены операционные блокировки для корректной работы оборудования и аварийные блокировки для защиты систем и механизмов Установки от повреждения, а также защиты жизни и здоровья персонала исходя из требований техники безопасности.

Технические характеристики

Параметр Значение
Потребляемая мощность (макс.), кВт 7 (без ВЧ-генератора, скруббера)
Напряжение питания, В 380±10%
Частота электрической сети, Гц 50±1
Габаритные размеры ДхШхВ, мм, не более 3450х3600х2400
Общая масса установки, кг,  не более 7500
Рабочее давление воды Бар, не более 4
Расход воды м3/час 1,5-3
Давление газов в реакторе, мм рт. ст. 100..760
Толщина выращиваемых эпитаксиальных слоев, мкм 0,05…8
Уровень легирования слоёв, см-3 1013 — 1020
Максимальная температура нагрева пластин, не менее, °С 1200
Тип нагрева индукционный
Расстояние между витками индуктора регулируемое
Неравномерность температуры по пьедесталу, не хуже ±3°С
Количество одновременно обрабатываемых пластин, шт Ø60 мм 6
Ø76 мм 5
Материал пьедестала графит ОСЧ карбидизированный
Материал реактора кварц
Тип реактора Вертикальный неподвижный
Загрузка реактора Обеспечивается спуском основания реактора
Остаточное давление в реакторе, мм.рт.ст. 3х10-2
Скорость вращения пьедестала Регулируемая, до 10 об/мин
Передача вращения от двигателя в реактор Герметичная без сальников, магнитная
Класс воздушных фильтров рециркуляции среды в реакторном отсеке ISO 5
Режимы воздухообмена в реакторном отсеке Продувка, циркуляция
Максимальный размер бокса для пластин, помещаемого в шлюз, (ДхШхВ), мм: 155х85х90