Применяется для термического отжига, осаждения химических паров (LPCVD, MOCVD), поликристаллического кремния, SiO2, диффузии, процессов TEOS, POCl3, TCA, выращивание графитовых нанотрубок, осаждение молекулярных слоев.
Применяется для производства полупроводниковых приборов и солнечных элементов. Печи для атмосферной и вакуумной обработки, LPCVD и MOCVD процессов.
Применяется для быстрого термического отжига (RTA – Rapid Thermal Annealing), быстрого термического окисления ( RTO – Rapid Thermal Oxidation), CVD графена и углеродных трубок, диффузии отжига контактов, после имплантационного отжига, отжига соединения проводников, нитридизации, силицидирования, сульфиризации и селенизации…